单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

HTNFET-T MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB Honeywell Aerospace	0 现货	在售	HTMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	-	5V	400 毫欧 @ 100mA，5V	2.4V @ 100µA	4.3 nC @ 5 V	10V	290 pF @ 28 V	-	50W（Tj）	-55°C ~ 225°C（TJ）	通孔	4-电源接片	4-SIP
HTNFET-D MOSFET N-CH 55V 8CDIP Honeywell Aerospace	0 现货	在售	HTMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	-	5V	400 毫欧 @ 100mA，5V	2.4V @ 100µA	4.3 nC @ 5 V	10V	290 pF @ 28 V	-	50W（Tj）	-55°C ~ 225°C（TJ）	通孔	8-CDIP-EP	8-CDIP 裸露焊盘
HTNFET-DC MOSFET N-CH 55V 8-DIP Honeywell Aerospace	0 现货	在售	HTMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	-	5V	400 毫欧 @ 100mA，5V	2.4V @ 100µA	4.3 nC @ 5 V	10V	290 pF @ 28 V	-	50W（Tj）	-	通孔	-	8-CDIP 裸露焊盘
HTNFET-TC MOSFET N-CH 55V 4-PIN Honeywell Aerospace	0 现货	在售	HTMOS™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	-	5V	400 毫欧 @ 100mA，5V	2.4V @ 100µA	4.3 nC @ 5 V	10V	290 pF @ 28 V	-	50W（Tj）	-	通孔	-	-