单 FET,MOSFET

结果 : 287
系列
-FemtoFET™NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V15 V20 V25 V30 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Ta)1.27A(Ta)1.5A(Ta)1.6A(Ta)1.7A(Ta)1.8A(Ta)2.1A(Ta)2.18A(Ta)2.2A(Ta)2.2A(Tc)2.3A(Ta)2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,4.5V2.5V,8V2.7V,10V2.8V,8V3V,8V4.5V,10V4.5V,8V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.59 毫欧 @ 50A,10V0.69 毫欧 @ 50A,10V0.96 毫欧 @ 32A,10V1 毫欧 @ 35A,10V1.07 毫欧 @ 30A,10V1.15 毫欧 @ 40A,10V1.2 毫欧 @ 32A,10V1.4 毫欧 @ 40A,10V1.5 毫欧 @ 35A,8V1.6 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 30A,10V1.6 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA1.15V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.35V @ 2.5µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.281 nC @ 10 V0.91 nC @ 10 V0.91 nC @ 4.5 V0.913 nC @ 4.5 V0.959 nC @ 4.5 V0.96 nC @ 4.5 V1.14 nC @ 4.5 V1.14 nC @ 6 V1.2 nC @ 4.5 V1.23 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 4.5 V1.33 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-20V-12V-8V-6V+2V,-15V8V±8V+10V,-8V10V±10V12V±12V+16V,-12V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10.5 pF @ 10 V155 pF @ 10 V156 pF @ 6 V189 pF @ 10 V190 pF @ 15 V195 pF @ 15 V198 pF @ 10 V200 pF @ 6 V230 pF @ 10 V234 pF @ 6 V235 pF @ 6 V236 pF @ 6 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)504mW(Ta)600mW(Ta)710mW(Ta)750mW(Ta)791mW(Ta)1W(Ta)1.2W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.65W(Ta)1.7W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-LGA(0.73x0.64)3-PICOSTAR4-DSBGA(1x1)4-PICOSTAR6-DSBGA(1x1.5)6-SON6-SON(2x2)6-WSON(2x2)8-SOIC8-SON8-SON-EP(3x3)8-TSSOP
封装/外壳
3-SMD,无引线3-XFDFN3-XFLGA4-UFBGA,DSBGA4-XFLGA6-SMD,扁平引线6-UFBGA,DSBGA6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)9-UFBGA,DSBGA16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
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287结果
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/ 287
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSDxxxxxF3x
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Texas Instruments
29,134
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.53876
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V500mA(Ta)2.8V,8V1190 毫欧 @ 100mA,8V1.35V @ 2.5µA0.281 nC @ 10 V10V10.5 pF @ 10 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型3-PICOSTAR3-XFDFN
CSDxxxxF4T
CSD17484F4
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
16,391
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71620
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V3A(Ta)1.8V,8V121 毫欧 @ 500mA,8V1.1V @ 250µA2.04 nC @ 8 V12V195 pF @ 15 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型3-PICOSTAR3-XFDFN
4-DSBGA-YZB
CSD23202W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Texas Instruments
16,395
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06807
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V2.2A(Ta)1.5V,4.5V53 毫欧 @ 500mA,4.5V900mV @ 250µA3.8 nC @ 4.5 V-6V512 pF @ 6 V-1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型4-DSBGA(1x1)4-UFBGA,DSBGA
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
12,815
现货
1 : ¥4.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.35799
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V5A(Tc)3V,8V24 毫欧 @ 4A,8V1.55V @ 250µA2.8 nC @ 4.5 V+10V,-8V340 pF @ 12.5 V-2.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-SON6-SMD,扁平引线
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
66,389
现货
1 : ¥6.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.29242
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V60A(Ta)4.5V,10V2.3 毫欧 @ 25A,10V1.8V @ 250µA30 nC @ 4.5 V±20V4420 pF @ 15 V-2.8W(Ta),108W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSON-CLIP(3.3x3.3)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
55,136
现货
1 : ¥7.15000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.95914
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V76A(Tc)1.8V,4.5V8.9 毫欧 @ 10A,4.5V1.15V @ 250µA9.7 nC @ 4.5 V±12V1790 pF @ 10 V-2.8W(Ta),69W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(3x3.3)8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
41,364
现货
1 : ¥7.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.80127
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V60A(Tc)4.5V,10V9.9 毫欧 @ 12A,10V2.7V @ 250µA14.5 nC @ 10 V±20V1150 pF @ 30 V-66W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(3x3.3)8-PowerVDFN
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
27,027
现货
1 : ¥7.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.83148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V14A(Ta),44A(Tc)3V,8V10.3 毫欧 @ 10A,8V1.8V @ 250µA5.1 nC @ 4.5 V+10V,-8V700 pF @ 15 V-2.7W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSON-CLIP(3.3x3.3)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17552Q3A
MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Texas Instruments
7,037
现货
1 : ¥7.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.12693
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V15A(Ta),60A(Tc)4.5V,10V6 毫欧 @ 11A,10V1.9V @ 250µA12 nC @ 4.5 V±20V2050 pF @ 15 V-2.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(3x3.3)8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD18534Q5A
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Texas Instruments
15,986
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.37631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V13A(Ta),50A(Tc)4.5V,10V9.8 毫欧 @ 14A,10V2.3V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V1770 pF @ 30 V-3.1W(Ta),77W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19534Q5A
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
13,869
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.39592
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V44A(Tc)6V,10V15.1 毫欧 @ 10A,10V3.4V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V1680 pF @ 50 V-3.2W(Ta),63W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
CSD1632x Series 8-SON
CSD16406Q3
MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Texas Instruments
7,946
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.64842
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V19A(Ta),60A(Tc)4.5V,10V5.3 毫欧 @ 20A,10V2.2V @ 250µA8.1 nC @ 4.5 V+16V,-12V1100 pF @ 12.5 V-2.7W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSON-CLIP(3.3x3.3)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18504Q5A
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Texas Instruments
18,410
现货
1 : ¥8.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.67609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V15A(Ta),50A(Tc)4.5V,10V6.6 毫欧 @ 17A,10V2.4V @ 250µA19 nC @ 10 V±20V1656 pF @ 20 V-3.1W(Ta),77W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD16323Q3
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Texas Instruments
1,648
现货
1 : ¥9.10000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.77696
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V21A(Ta),60A(Tc)3V,8V4.5 毫欧 @ 24A,8V1.4V @ 250µA8.4 nC @ 4.5 V+10V,-8V1300 pF @ 12.5 V-3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSON-CLIP(3.3x3.3)8-PowerTDFN
8-VSONP
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Texas Instruments
8,473
现货
1 : ¥10.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.31494
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V50A(Ta)6V,10V14.5 毫欧 @ 10A,10V3.6V @ 250µA21 nC @ 10 V±20V1680 pF @ 50 V-2.8W(Ta),83W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSON-CLIP(3.3x3.3)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18563Q5A
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
52,498
现货
1 : ¥11.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.81928
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V100A(Ta)4.5V,10V6.8mOhm @ 18A,10V2.4V @ 250µA20 nC @ 10 V±20V1500 pF @ 30 V-3.2W(Ta),116W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18533Q5A
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Texas Instruments
11,375
现货
1 : ¥11.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.87531
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V17A(Ta),100A(Tc)4.5V,10V5.9 毫欧 @ 18A,10V2.3V @ 250µA36 nC @ 10 V±20V2750 pF @ 30 V-3.2W(Ta),116W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19533Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
38,780
现货
1 : ¥12.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.04343
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V100A(Ta)6V,10V9.4 毫欧 @ 13A,10V3.4V @ 250µA35 nC @ 10 V±20V2670 pF @ 50 V-3.2W(Ta),96W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18543Q3AT
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Texas Instruments
10,083
现货
1 : ¥12.44000
剪切带(CT)
250 : ¥7.85596
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Ta),60A(Tc)4.5V,10V15.6 毫欧 @ 12A,4.5V2.7V @ 250µA14.5 nC @ 10 V±20V1150 pF @ 30 V-66W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(3x3.3)8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD18531Q5A
MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Texas Instruments
3,933
现货
1 : ¥12.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.30503
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V19A(Ta),100A(Tc)4.5V,10V4.6 毫欧 @ 22A,10V2.3V @ 250µA43 nC @ 10 V±20V3840 pF @ 30 V-3.1W(Ta),156W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD16321Q5
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Texas Instruments
21,835
现货
1 : ¥13.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.85325
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V31A(Ta),100A(Tc)3V,8V2.4 毫欧 @ 25A,8V1.4V @ 250µA19 nC @ 4.5 V+10V,-8V3100 pF @ 12.5 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSON-CLIP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17573Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
4,182
现货
1 : ¥13.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.55597
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V100A(Ta)4.5V,10V1 毫欧 @ 35A,10V1.8V @ 250µA64 nC @ 4.5 V±20V9000 pF @ 15 V-3.2W(Ta),195W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSON-CLIP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19531Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
4,883
现货
1 : ¥13.82000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.22454
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V100A(Tc)6V,10V6.4 毫欧 @ 16A,10V3.3V @ 250µA48 nC @ 10 V±20V3870 pF @ 50 V-3.3W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD16325Q5
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Texas Instruments
11,756
现货
1 : ¥15.61000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.03517
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V33A(Ta),100A(Tc)3V,8V2 毫欧 @ 30A,8V1.4V @ 250µA25 nC @ 4.5 V+10V,-8V4000 pF @ 12.5 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSON-CLIP(5x6)8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18532Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
2,948
现货
1 : ¥18.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.39112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V100A(Ta)4.5V,10V3.2 毫欧 @ 25A,10V2.2V @ 250µA58 nC @ 10 V±20V5070 pF @ 30 V-3.2W(Ta),156W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。