单 FET,MOSFET

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剪切带(CT)卷带(TR)
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制造商零件编号
现有数量
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系列
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产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4898NFT1G
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
onsemi
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V13.2A(Ta),117A(Tc)-3 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 1mA49.5 nC @ 10 V-3233 pF @ 12 V---表面贴装型5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4898NFT3G
MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V13.2A(Ta),117A(Tc)4.5V,10V3 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 1mA49.5 nC @ 10 V±20V3233 pF @ 12 V-930mW(Ta),73.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN,5 引线
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。