设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
IRFD220 已经过时且不再制造。
可用替代品:
直接
IRFD220 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | IRFD220-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | IRFD220 | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 通孔 N 通道 200 V 800mA（Ta） 1W（Ta） 4-HVMDIP | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | IRFD220 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 480mA，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 260 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | 4-HVMDIP | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
您可能还对以下元器件感兴趣
1 种货品
