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产品索引 >  分立半导体产品 >  晶体管 - FET,MOSFET - 单个 > IRFD220

Vishay Siliconix

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人民币价格(含增值税)
得捷电子 零件编号 IRFD220-ND
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制造商

制造商零件编号

IRFD220

描述

MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
详细描述 通孔-N-通道-200V-800mA(Ta)-1W(Ta)-4-DIP-Hexdip-HVMDIP
IRFD220 Vishay Siliconix | IRFD220-ND | Digi-Key Electronics
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
一般信息
数据列表 IRFD220;
标准包装  2,500
包装  管件
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 *IRFD220

规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 800mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 800 毫欧 @ 480mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 260pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)

文档
HTML 规格书 IRFD220
PCN 过时产品/ EOL SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015

图像和媒体
产品相片 4-DIP
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion

可能的代用品
得捷电子 零件编号 制造商零件编号 制造商 包装 现有数量 单价 最低订购数量是
IRFD220PBF-ND IRFD220PBF Vishay Siliconix 散装 352 - 立即发货
¥ 8.50000 1
MOSFET Technologies for Power Conversion
MOSFET Technologies for Power Conversion

2020年05月27日 02:07:45