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产品索引 >  分立半导体产品 >  晶体管 - FET,MOSFET - 单个 > IRFD110

Vishay Siliconix

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人民币价格(含增值税)
得捷电子 零件编号 IRFD110-ND
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制造商

制造商零件编号

IRFD110

描述

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
详细描述 通孔-N-通道-100V-1A(Ta)-1.3W(Ta)-4-DIP-Hexdip-HVMDIP
IRFD110 Vishay Siliconix | IRFD110-ND | Digi-Key Electronics
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
一般信息
数据列表 IRFD110;
标准包装  2,500
包装  管件
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 *IRFD110
IRFD111
IRFD112

规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 540 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 180pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)

文档
EDA / CAD 模型 IRFD110 by Ultra Librarian
HTML 规格书 IRFD110
PCN 过时产品/ EOL SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015

图像和媒体
产品相片 4-DIP
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion

可能的代用品
得捷电子 零件编号 制造商零件编号 制造商 包装 现有数量 单价 最低订购数量是
IRFD110PBF-ND IRFD110PBF Vishay Siliconix 管件 707 - 立即发货
¥ 6.36000 1
MOSFET Technologies for Power Conversion
MOSFET Technologies for Power Conversion

2020年09月26日 02:44:10