IRF610 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Vishay Siliconix
现货: 23,643
单价: ¥7.32000
规格书

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 7,455
单价: ¥7.32000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥20.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 430
单价: ¥11.72000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 433
单价: ¥11.22000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 233
单价: ¥11.62000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 635
单价: ¥15.61000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,039
单价: ¥66.34000
规格书

IRF610

DigiKey 零件编号
IRF610-ND
制造商
制造商产品编号
IRF610
描述
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 200 V 3.3A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IRF610 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
36W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
基本产品编号