IRF510 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Vishay Siliconix
现货: 48,805
单价: ¥8.78000
规格书

类似


onsemi
现货: 7,071
单价: ¥15.61000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 4,889
单价: ¥12.44000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 7,793
单价: ¥21.38000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 6,068
单价: ¥18.45000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 15,798
单价: ¥14.23000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 11,760
单价: ¥29.51000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 4,440
单价: ¥25.28000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 4,999
单价: ¥23.09000
规格书

IRF510

DigiKey 零件编号
IRF510-ND
制造商
制造商产品编号
IRF510
描述
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 100 V 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
540 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
180 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
43W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
基本产品编号