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产品索引 >  分立半导体产品 >  晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STS10N3LH5

STMicroelectronics
人民币价格(含增值税)
得捷电子 零件编号 497-10010-1-ND
价格分段 单价 总价
1 9.32000 ¥ 9.32
10 8.29500 ¥ 82.95
25 7.87000 ¥ 196.75
100 5.90250 ¥ 590.25
250 5.84632 ¥ 1,461.58
500 5.00310 ¥ 2,501.55
1,000 4.07556 ¥ 4,075.56
现有数量
得捷电子库存现货: 2,609
可立即发货
制造商

制造商零件编号

STS10N3LH5

描述

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 14 周
详细描述 表面贴装型-N-通道-30V-10A(Tc)-2.5W(Tc)-8-SO
数量 项目编号  客户内部零件编号
  
STS10N3LH5 STMicroelectronics | 497-10010-1-ND | Digi-Key Electronics
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
一般信息
数据列表 STS10N3LH5;
标准包装  1
包装  剪切带(CT)
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 STripFET™ V
其它名称 497-10010-1

规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 21 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V
Vgs(最大值) ±22V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文档
其它有关文件 STS10N3LH5 View All Specifications

图像和媒体
产品相片 8-SOIC
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs

替代的封装
本零件更有以下封装可供选择:
得捷电子 零件编号 制造商零件编号 制造商 包装 现有数量 单价 最低订购数量是
497-10010-2-ND STS10N3LH5 STMicroelectronics 标准卷带 2,500 - 立即发货
¥ 4.01936 2,500
497-10010-6-ND STS10N3LH5 STMicroelectronics Digi-Reel® 得捷定制卷带 2,609 - 立即发货
计算 1

带卷, 剪切带及Digi-Reel® 得捷定制卷带 均由相同之制造厂编号衍生。带卷的库存量会被用于履行剪切带及 Digi-Reel® 得捷定制卷带 的订单及会直接影响相关带卷的库存总量。

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2020年04月05日 07:34:53