PMGD8000LN,115 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 73,260
单价: ¥3.17000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 250,544
单价: ¥3.17000
规格书

PMGD8000LN,115

DigiKey 零件编号
568-2370-2-ND - 卷带(TR)
568-2370-1-ND - 剪切带(CT)
568-2370-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
PMGD8000LN,115
描述
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 30V 125mA 200mW 表面贴装型 6-TSSOP
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
PMGD8000LN,115 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
NXP USA Inc.
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
125mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
18.5pF @ 5V
功率 - 最大值
200mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
基本产品编号