IGT60R190D1SATMA1 已经过时且不再制造。
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Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥23.04477

IGT60R190D1SATMA1

DigiKey 零件编号
IGT60R190D1SATMA1TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
IGT60R190D1SATMA1
描述
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 12.5A(Tc) 55,5W(Tc) PG-HSOF-8-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 960µA
Vgs(最大值)
-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
157 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
55,5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8-3
封装/外壳
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
卷带(TR)
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
2,000¥63.31520¥126,630.40
Manufacturers Standard Package