HER303-T 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 18,010
单价: ¥3.74000
规格书

类似


onsemi
现货: 4,704
单价: ¥3.61000
规格书

类似


onsemi
现货: 8,228
单价: ¥3.58000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥37.07000
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 11,136
单价: ¥7.48000
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 1,119
单价: ¥3.82000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 2,473
单价: ¥4.07000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,421
单价: ¥6.91000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 4,675
单价: ¥3.96000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 3,060
单价: ¥3.58000
规格书

HER303-T

DigiKey 零件编号
HER303DITR-ND - 卷带(TR)
HER303DICT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
HER303-T
描述
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
客户内部零件编号
详细描述
二极管 200 V 3A 通孔 DO-201AD
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
HER303-T 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
停产
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
200 V
电流 - 平均整流 (Io)
3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 3 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO-201AD
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C
基本产品编号