DMN26D0UFB4-7 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 115,210
单价: ¥3.09000
规格书

类似


Panjit International Inc.
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

DMN26D0UFB4-7

DigiKey 零件编号
DMN26D0UFB4-7DITR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
DMN26D0UFB4-7
描述
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 20 V 230mA(Ta) 350mW(Ta) X2-DFN1006-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DMN26D0UFB4-7 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14.1 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
封装/外壳
基本产品编号