1N5820-T 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 4,200
单价: ¥3.50000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥421.61360
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 0
单价: ¥0.72940
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 2,388
单价: ¥4.23000
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 8,045
单价: ¥3.17000
规格书

类似


onsemi
现货: 673
单价: ¥4.73000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 12,658
单价: ¥3.44000
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 7,303
单价: ¥3.41000
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 0
单价: ¥1.18934
规格书

类似


Comchip Technology
现货: 0
单价: ¥1.78836
规格书

1N5820-T

DigiKey 零件编号
1N5820DITR-ND - 卷带(TR)
1N5820DICT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
1N5820-T
描述
DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
客户内部零件编号
详细描述
二极管 20 V 3A 通孔 DO-201AD
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
1N5820-T 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
停产
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
20 V
电流 - 平均整流 (Io)
3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
475 mV @ 3 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
2 mA @ 20 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO-201AD
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C
基本产品编号