1N5406-T 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


onsemi
现货: 961
单价: ¥3.33000
规格书

直接


onsemi
现货: 345,540
单价: ¥3.01000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥57.07145
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 26,283
单价: ¥3.74000
规格书

类似


Comchip Technology
现货: 0
单价: ¥0.86217
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 0
单价: ¥0.70168
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 0
单价: ¥1.22842
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥60.57000
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 3,210
单价: ¥7.56000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,086
单价: ¥6.67000
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 2,569
单价: ¥2.93000
规格书

类似


Micro Commercial Co
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似


Comchip Technology
现货: 0
单价: ¥1.96315
规格书

1N5406-T

DigiKey 零件编号
1N5406DITR-ND - 卷带(TR)
1N5406DICT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
1N5406-T
描述
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
客户内部零件编号
详细描述
二极管 600 V 3A 通孔 DO-201AD
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
1N5406-T 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
停产
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 3 A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
25pF @ 4V,1MHz
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO-201AD
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C
基本产品编号