1N5252B-T 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Microchip Technology
现货: 14,100
单价: ¥2.20000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥29.75522
规格书

类似


onsemi
现货: 13,376
单价: ¥1.26000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥29.75522
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 10,452
单价: ¥1.79000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥26.09680
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥29.34873
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 29,655
单价: ¥1.71000
规格书

类似


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 29,980
单价: ¥1.87000
规格书

参数等效


Central Semiconductor Corp
现货: 8,422
单价: ¥3.25000
规格书

参数等效


onsemi
现货: 26,093
单价: ¥1.22000
规格书

1N5252B-T

DigiKey 零件编号
1N5252BDITR-ND - 卷带(TR)
1N5252BDICT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
1N5252B-T
描述
DIODE ZENER 24V 500MW DO35
客户内部零件编号
详细描述
二极管 - 齐纳 24 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
1N5252B-T 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
33 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 18 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 200°C
安装类型
通孔
封装/外壳
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号