1N5228B-T 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Microchip Technology
现货: 12,296
单价: ¥13.33000
规格书

直接


onsemi
现货: 9,473
单价: ¥1.91000
规格书

直接


onsemi
现货: 14,978
单价: ¥1.95000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥13.00775
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥19.34902
规格书

类似


onsemi
现货: 15,354
单价: ¥1.36000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: ¥15.28428
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 92
单价: ¥17.72000
规格书

参数等效


Central Semiconductor Corp
现货: 6,843
单价: ¥3.66000
规格书

参数等效


onsemi
现货: 43,828
单价: ¥1.38000
规格书

参数等效


Central Semiconductor Corp
现货: 0
单价: ¥0.61091
规格书

1N5228B-T

DigiKey 零件编号
1N5228BDITR-ND - 卷带(TR)
1N5228BDICT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
1N5228B-T
描述
DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
客户内部零件编号
详细描述
二极管 - 齐纳 3.9 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
1N5228B-T 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
23 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 200°C
安装类型
通孔
封装/外壳
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号