T533N Datasheet by Infineon Technologies

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E ~ technical information (Inflneon / infineon Tedwnolagies Eipolav GmbH & Co KG Key Parameters V50 VRRM ITAVM c ______ ITSM Vm \ V, r infinaon 45 “9952515" mic mtg://www.ifbig.com/cata|cg Merkmale Features . . . . . . . . . . Tygische Anwendungen Typical Agglications . . . . . . . . . . www.iibig.com suggenQinfineonbigccm
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 1/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
Key Parameters
VBO / VRRM
7500V / 8000V
ITAVM
540A (TC=85°C)
3570A (TC=55°C)
ITSM
10500A
vT0
1,26V
rT
1,47mΩ
RthJC
20,0K/kW
Clamping Force
15 … 24kN
Max. Diameter
76mm
Contact Diameter
50mm
Height
35mm
Merkmale
Direkt lichtgezündeter Thyristor mit integrierter
Schutzfunktion
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Typische Anwendungen
Mittelspannungssanftanlasser
Statische Kompensation SVC
Lastgeführte Umrichter
Kurzschließer-Applikationen
Pulsed Power Applikationen
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class
23..26
4
QR class
27..30
4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
1
2
4.1
technical information (Inflneon,, mfmeon Tuhnolagwes Elpolal GmbH & Co KG
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 2/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
Kenndaten Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak and reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
8000
V
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
TC = 85 °C
ITRMSM
864
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
ITAVM
540
675
790
A
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
t.b.d.
10500
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
t.b.d.
551
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, PLM = 40mW, trise = 0,5µs
(diT/dt)cr
300
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
(dvD/dt)cr
2000
V/µs
Charakteristische Werte / characteristic values
Schutzzündspannung (statisch)
protective break over voltage
Tvj = 25°C … Tvj max
Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K
für Tvj = 0°C..25°C
Typical de-rating factor of 0,16%/K is
applicable for Tvj = 0°C..25°C
VBO
min.
7500
V
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 1000A, vD = 40V
vT
typ.
max.
2,6
2,75
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
1,19
1,26
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
max.
1,38
1,47
mΩ
mΩ
Durchlaßkennlinie 100A iF 1200A
on-state characteristic
T
TTT iD)1i(LnCiBAv
Tvj = Tvj max
typ.
A
-3,59185
B
0,00234
C
1,21129
D
-0,14343
max.
A
-3,77547
B
0,00247
C
1,27455
D
-0,15035
minimale Zündlichtleistung
minimum gate trigger light power
Tvj = 25°C, vD = 40V
PLM
max.
40
mW
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C
IH
max.
100
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 40V,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
IL
max.
1
A
Rückwärts-Sperrstrom
reverse blocking current
Tvj = Tvj max
vR = VRRM
iR
max.
200
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, vD = 1000V ,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
tgd
max.
5
µs
prepared by:
TM
date of publication:
23.01.2014
approved by:
JP
revision:
3.0
technical information (Inf neon mfmeon Tuhnolagwes Eipolav GmbH & Co KG 4,Kennbuchstabe J 4' \efler 0 KuhHl’ache J coolmg surlace KuhHl’ache J coolmg surlace einsemg / smg‘erswded
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 3/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
tq
typ.
650
µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
max.
10
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
max.
300
A
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
20
19
30,5
50
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
5
10
K/kW
K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
120
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+120
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
15...24
kN
Gewicht
weight
G
typ.
650
g
Kriechstrecke
creepage distance
25
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
E E technical information @ \nfineon Technologxes Eipolav GmbH 2; m KG 076 —2 $50105 @3525 m_ N a w | . Q (,3 N.
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 4/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
Maßbild
1
2
4.1
1: Anode/anode
2: Kathode/cathode
4.1: Gate
E : technical information (mflneon, mfmeon Tuhnolagwes Elpolal GmbH & (a KG
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 5/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC /
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
two-sided
Rthn
[K/kW]
10,48
2,43
3,04
2,72
0,33
τn [s]
0,84
0,132
0,062
0,0134
0,0019
anodenseitig
anode-sided
Rthn
[K/kW]
19,17
2,32
2,8
3,66
2,55
τn [s]
3,5
0,45
0,154
0,061
0,01
kathodenseitig
cathode-sided
Rthn
[K/kW]
39,6
1,06
4,87
2,37
2,1
τn [s]
5,82
0,45
0,126
0,037
0,009
Analytische Funktion / analytical function:
max
n
n=1
thn
thJC
n
-t
e
1
R
Z
bi
ai
ci
0
10
20
30
40
50
60
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t[s]
Zth JC [K/kW]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ transient thermal impedance Z thJC = f(t) for
DC
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
technical information (Inflneon, mfmeon Tuhnolagwes Elpolal GmbH & (a KG
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 6/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
Diagramme
Diagramme Durchlasskennlinie
typ.
max.
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
iT[A]
vT[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
vT [V]
iT [V]
typ.
max.
technical information (Inflneon, mfmeon Tuhnolagwes Elpolal GmbH & (a KG
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 7/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
beidseitig
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 5 10 15 20 25 30 35
Qr[mAs]
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs]
Qr [mAs]
technical information (Inflneon, mfmeon Tuhnolagwes Elpolal GmbH & (a KG
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 8/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
Ta bei Sinus
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 5 10 15 20 25 30 35
IRM [A]
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
0
25
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs]
IRM [A]
technical information (Inflneon, mfmeon Tuhnolagwes Elpolal GmbH & (a KG
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 9/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
2
4
6
8
10
12
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
IT(OV)M [kA]
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
technical information (Inflneon,, mfmeon Tuhnolagwes Eipolav GmbH & Co KG
Date of Publication: 2014-01-23
Seite/page: 10/9
Revision: 3.0
T533N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Technische Information /
technical information
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