MASTERGAN1 高功率密度半桥

STMicroelectronics MASTERGAN1 是世界上第一款采用 GaN HEMT 系统级封装 (SiP) 的 600 V 半桥驱动器，也是 MASTERGAN 平台的第一款元件。MASTERGAN1 紧凑，可以实现高功率密度电源，甚至比基于 MOSFET 开关的电源小四倍，这要归功于 GaN 的更高开关频率以及同一驱动器和两个氮化镓开关的高度集成包。它还提供了鲁棒性。离线驱动器针对氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 进行了优化，可实现快速、有效和安全的驱动并简化布局。分立的氮化镓开关可能难于管理，但是由嵌入式驱动器管理的氮化镓开关则简化了电源设计。