第 4 代超级结 MOSFET 系列 - Toshiba

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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

            第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列
  
                    Toshiba 的第 4 代超级结 MOSFET 系列通过使用单一外延工艺，在高温度条件下具有更低的导通电阻

Toshiba 的第 4 代超级结 MOSFET 系列图片 Toshiba 开发出第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列。相比其上一代 DTMOS III，DTMOS IV 采用了先进的单一外延工艺制造，MOSFET 品质因数 (FOM) 导通电阻·A 降低了 30%。导通电阻·A 的降低使该器件可在同一封装中容纳更低导通电阻的芯片。这有助于提高效率和减少电源的尺寸。

特性
相比其前代 (DTMOS III) 导通电阻 A 减小 30% 通过使用单一外延工艺，在高温度条件下导通电阻更低相比前一代产品 (DTMOS III) 由于 Coss 的下降而使得开关损耗 Eoss 减少 12%		提供 0.9 Ω 至 0.018 Ω（最大值）的宽范围导通电阻 R_DS(ON) 各种不同的封装选择通孔式：TO-220、TO-220SIS、IPAK、I²PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247 表面贴装：DPAK、D²PAK
应用
通信设备电源服务器 UPS 液晶电视台式 PC		适配器 LED 照明电焊机打印机太阳能逆变器

Gen-4 Super-Junction MOSFET Series

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
TK7E80W,S1X	MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220	20 - 立即发货	$22.28	查看详情
TK12A80W,S4X	MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS	40 - 立即发货	$24.39	查看详情
TK12E80W,S1X	MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220	0 - 立即发货	$28.21	查看详情
TK17A80W,S4X	MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS	44 - 立即发货	$30.00	查看详情
TK17E80W,S1X	MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220	94 - 立即发货	$35.93	查看详情

发布日期： 2017-03-28

特性
相比其前代 (DTMOS III) 导通电阻 A 减小 30% 通过使用单一外延工艺，在高温度条件下导通电阻更低相比前一代产品 (DTMOS III) 由于 Coss 的下降而使得开关损耗 Eoss 减少 12%		提供 0.9 Ω 至 0.018 Ω（最大值）的宽范围导通电阻 R_DS(ON) 各种不同的封装选择通孔式：TO-220、TO-220SIS、IPAK、I²PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247 表面贴装：DPAK、D²PAK
应用
通信设备电源服务器 UPS 液晶电视台式 PC		适配器 LED 照明电焊机打印机太阳能逆变器

第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列

Toshiba 的第 4 代超级结 MOSFET 系列通过使用单一外延工艺，在高温度条件下具有更低的导通电阻

Gen-4 Super-Junction MOSFET Series

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