Texas Instruments

LMG5200 80 V GaN 半桥功率级

Texas Instruments 提供其 LMG5200 半桥 GaN 功率级，具有高度集成的高压侧和低压侧栅极驱动器

Texas Instruments LMG5200 80 V GaN 半桥功率级图片Texas Instruments LMG5200 器件是 80 V、10 A 驱动器 和 GaN 半桥功率级，借助增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包括两个采用半桥配置的 80 V GaN FET，由一个高频率 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容 CISS 也很小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6 mm x 8 mm x 2 mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VCC 电压如何，都能够承受最高 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效工作及小尺寸要求的应用而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能够直接将 48 V 电压转换为负载点电压 (0.5 V -1.5 V)。

资源

全面鉴定 GaN 产品可靠性的方法

GaN 的体二极管低估了 GaN 的第三象限工作性能吗

设计 GaN 功率级时需考虑的散热问题

特性
  • 集成 15 mΩ GaN FET 和驱动器
  • 80 V 连续、100 V 脉冲电压额定值
  • 封装经过优化，方便 PCB 布线，无需考底部填充、爬电距离和电气间隙要求
  • 超低的公共源电感，确保了高压摆率，在硬开关拓扑中不会造成过多的瞬时振荡
  • 隔离式和非隔离式应用的理想选择
  • 栅极驱动器能够实现高达 10 MHz 的开关
  • 内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
  • 电源轨欠压锁定
  • 出色的传播延迟（典型值为 29.5 ns）和匹配（典型值为 2ns）
  • 低功耗
应用
  • 宽 VIN、数兆 Hz 同步降压转换器
  • 音频 D 类放大器
  • 高功率密度单相和三相电机驱动
  • 适用于电信、工业和企业计算的 48 V 负载点 (POL) 转换器

LMG5200 80 V GaN Half-Bridge Power Stage

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Evaluation Expansion Board

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发布日期： 2017-06-20

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