Texas Instruments

LM5113 半桥栅极驱动器

Texas Instruments 提供用于增强模式 GaN FET 的 LM5113 100 V 1.2 A / 5 A 半桥栅极驱动器

Texas Instruments 的 LM5113 半桥栅极驱动器图片Texas Instruments 的 LM5113 旨在以同步降压或半桥配置，同时驱动高压侧和低压侧增强模式氮化镓 (GaN) FET。这种浮动式高压侧驱动器能够驱动高达 100V 的高压侧增强 模式 GaN FET。其中高压侧偏置电压使用自举技术产生，且内部箝至 5.2 V，这样就可以防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入兼容 TTL 逻辑，且可以承受高达 14 V 的输入电压，而不用考虑 VDD 电压。LM5113 具有分离式栅极输出，为独立调节导通和关断强度提供了灵活性。

此外，LM5113 强大的电流灌入能力可使栅极保持在低态，从而防止切换期间意外导通。LM5113 可工作在高达几个 MHz 的频率下。LM5113 采用标准的 10 引脚 WSON 封装和 12 焊球 DSBGA 封装。10 引脚 WSON 封装包含一个有助于功率耗散的裸焊盘。DSBGA 封装尺寸紧凑，最大程度降低了封装电感。

特性
  • 独立的高压侧和低压侧 TTL 逻辑输入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌电流
  • 高压侧浮动偏置电压轨工作电压高达 100 VDC
  • 内部自举供应电压箝位
  • 分离式输出实现了可调节导通/关断强度
  • 0.6 Ω/2.1 Ω 下拉/上拉电阻
  • 快速传播时间（典型值为 28 ns）
  • 出色的传播延迟匹配（典型值为 1.5 ns）
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
应用
  • 电流反馈式推挽转换器
  • 半桥和全桥转换器
  • 同步降压稳压器
  • 双开关正激式转换器
  • 通过有源箝位转换器进行正激

LM5113 Half-Bridge Gate Drivers

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Evaluation Boards

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发布日期： 2017-05-23

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