ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61WV 16 Mb/32 Mb 高速 SRAM

ISSI 推出使用 3.3 V 电源的 1M/2Mx16 高速异步 CMOS 静态 RAM

ISSI 的 IS61WV204816BLL 32 Mb 高速 SRAM 图片ISSI IS61WV204816BLL 是高速 16 Mb/32 Mb 静态 RAM，以 16 位 1024K/2048K 字的形式组织。该器件采用 ISSI 的高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术带来的是高性能和低功耗的器件。

当 CS # 为“高”（取消选择）时，器件进入待机模式，功率耗散可随 CMOS 的输入电平降低。简单的存储器扩展则通过芯片使能和输出使能输入实现。有源“低”写使能 (WE #) 控制存储器的写入和读取。数据字节允许高位字节 (UB#) 和低位字节 (LB#) 存取。该器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP （I 类）和 48 引脚 mini BGA (6 mm x 8 mm) 封装。

特性
  • 高速存取时间：10 ns，12 ns
  • 高性能、低功耗 CMOS 工艺制造
  • 多个中心电源和接地引脚提高了噪声抗扰度
  • CS# 和 OE# 便于存储器扩展
  • TTL 兼容型输入和输出
  • 单电源
    • VDD 2.4 V 至 3.6 V
  • 提供的封装：
    • 48 焊球 mini BGA (6 mm x 8 mm)
    • 48 引脚 TSOP（I 类）
  • 支持工业和汽车温度
  • 提供无铅规格
  • 高位和低位字节的数据控制
应用
  • 汽车
  • 工业/医疗
  • 电信/网络

IS61WV1024/204816BLL 16 Mb and 32 Mb High-Speed SRAM

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP IIS61WV102416BLL-10TLIIC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I737 - 立即发货$183.08查看详情
发布日期： 2016-05-31

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